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AUIRFR/U120Z
500
400
300
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
20
16
12
ID= 5.2A
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
200
100
Coss
8
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
Crss
10
100
0
0
2
4
SEE FIGURE 13
6 8
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100.0
1000
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
10.0
T J = 175°C
10
1.0
T J = 25°C
1
100μsec
0.1
VGS = 0V
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
1
10
100
1000
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
5
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